メモリ検査用

当社のメモリ検査用プローブのご紹介ページです。一般的なフォーマットの全て(DDR、フラッシュ、eMCPなど)に対し検査ソリューションを提供するだけでなく、お客様の個々のニーズに応じてカスタム仕様の検査ソリューションを提供します。

メモリICは、ほぼすべての電気デバイスにおいて核となる部品です。メモリICは通常、揮発性メモリと不揮発性メモリに分類されます。不揮発性メモリは電源が切られても保存された情報を維持しますが、揮発性メモリはデータ保持のために絶えず電源供給を必要とします。ほとんどのメモリモジュール製品は、標準的な検査ピンで検査することができるよう、標準的なフォーマットになっています。本ページでは当社のメモリ検査用のソリューションをご紹介いたします。

設計コンセプト

左からDDR2/3ソケット、DDR3/4ソケット、eMCPソケットの図

材質

射出成形 PES

仕様

最小ピッチ 0.4mm

マニュアル型DDR2/3検査モジュール仕様

マニュアル型DDR2/3検査モジュール、片面と両面の図

最大位置数 8~16(片面/両面)
伝送レート(MT/s) 200MHz~1866MHz

プローブの仕様

DE4-050EF25-120

プローブの仕様、DE4-050EF25-120の図

材質

上プランジャー BeCu、金メッキ
バレル 真鍮、金メッキ
スプリング SUS、金メッキ
下プランジャー BeCu、金メッキ

機械的仕様

推奨ストローク 0.40mm
最大ストローク 0.60mm
スプリング力 35g±20%@0.40mm
動作温度 -55℃~150℃

電気的仕様(ピッチ:0.8mm ソケット素材:PEEK1,000)

定格電流 1A連続
接触抵抗 <175mΩ(平均)
特性インピーダンス 37Ω
挿入損失 -1dB@>18.6GHz
リターンロス -20dB@>2.69GHz
遅延時間 20.4psec
ループインダクタンス 0.76nH
キャパシタンス 0.55pF

DE4-056EF09-03F0

プローブの仕様、DE4-056EF09-03F0の図

材質

バレル BeCu、金メッキ
スプリング SUS、金メッキ
下プランジャー BeCu、金メッキ

機械的仕様

推奨ストローク 0.40mm
最大ストローク 0.50mm
スプリング力 30g±20%@0.40mm
動作温度 -55℃~150℃

電気的仕様(ピッチ:0.8mm ソケット素材:PEEK1,000)

定格電流 1A連続
接触抵抗 <75mΩ(平均)
特性インピーダンス 36.16Ω
挿入損失 -1dB@>20GHz
リターンロス -20dB@>5.11GHz
遅延時間 9.4psec
ループインダクタンス 0.34nH
キャパシタンス 0.26pF

PE1-058EE40-01A0

プローブの仕様、PE1-058EE40-01A0の図

材質

上プランジャー Pd合金
バレル PhBz、金メッキ
スプリング SUS、金メッキ
下プランジャー BeCu、金メッキ

機械的仕様

推奨ストローク 0.80mm
最大ストローク 1.1mm
スプリング力 28g±20%@0.80mm
動作温度 -55℃~150℃

電気的仕様(ピッチ:0.8mm ソケット素材:PEEK1,000)

定格電流 1A連続
接触抵抗 <75mΩ(平均)
特性インピーダンス 41.2Ω
挿入損失 -1dB@>20GHz
リターンロス -20dB@>2.56GHz
遅延時間 32.2psec
ループインダクタンス 1.33nH
キャパシタンス 0.78pF

DE4-035DH24-01A0

材質

上プランジャー BeCu、金メッキ
バレル PhBz、金メッキ
スプリング SWP、金メッキ
下プランジャー BeCu、金メッキ

機械的仕様

推奨ストローク 0.50mm
最大ストローク 0.70mm
スプリング力 27g±20%@0.50mm
動作温度 -15℃~125℃

電気的仕様(ピッチ:0.8mm ソケット素材:PEEK1,000)

定格電流 1A連続
接触抵抗 <75mΩ(平均)
特性インピーダンス 40.06Ω
挿入損失 -1dB@>20GHz
リターンロス -20dB@>4.5GHz
遅延時間 17.22psec
ループインダクタンス 0.69nH
キャパシタンス 0.43pF

その他の仕様

上記に記載の製品は、一部のみでございます。

お探しの製品がございましたら、当社営業までお気軽にお問い合わせをお願い致します。

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